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外设寻址可以访问已经被分配至过程映像区的I/O地址区域。同时使用外设寻址和过程映像区访问同一地址时，在程序执行的某一时刻，二者的结果会存在差异。以下面一段程序为例：外设寻址与过程映像区其中，"TPQB1"为外设寻址，结果会直接送给输出模块；而"AQ1.0"访问的是输出过程映像区，Q1.0的值只有在下个循环周期的"输出映像区的数据写入输出模块"阶段，才能送给输出模块。在当前的循环周期内，二者对输出的作用可能是不同的。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。且红笔所接的脚是K极，黑笔接的脚是G极，剩下一个脚就是A极了。如果测量的结果中，有两个脚的正、反向值都是几十至几百欧，那么这个可控硅就是双向可控硅。而且有一次测量的阻值比另一次测量的阻值稍大些，需要认真对比，阻值稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。双向可控硅图可控硅好坏的判断：就拿常见的额定6A以下的可控硅来说明：单向可控硅，将万用表打到RX1档红笔接K极，黑笔同时接通A极，并保持黑笔不离A极情况下断G极，指针应指示几十欧至一百欧，说明可控硅能被正常触发导通。分压电路的输出电压大小由RPR1和R2三只电阻阻值大小决定，R1和R2是固定电阻，调节可变电阻RP1阻值时，可以改变VT1基极电压，从而可以改变VT1静态电流。设置可变电阻RP1后，能够方便地调节VT1静态工作电流。调整变频管静态电流的目的变频管的工作比较特殊，它不能工作在三极管的线性区域，而是工作在非线性区，以便进行变频。如果变频管静态工作电流太大，那就没有变频作用，如果电流太小，则没有放大能力，所以通过可变电阻器改变静态电流能方便地得到一个较好的平衡点。